نسل دوم حافظه‌ ۱۰ نانومتری DRAM سامسونگ

کمپانی سامسونگ اعلام کرده که ساخت انبوه حافظه‌ ی ۱۰ نانومتری نسل دوم (DDR4 DRAM (1y-nm، هشت گیگابیت  را آغاز کرده است.

نسل دوم حافظه‌ ۱۰ نانومتری DRAM سامسونگ

حافظه‌ ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DDR4 جدید کمپانی سامسونگ با توجه به استفاده از یک چیپ 8 گیگابیتی DRAM و ابعاد کوچک، دارای بیشترترین کارایی و بهره‌ وری انرژی است. این حافظه به‌ منظور استفاده در طیف گسترده‌ ای از سیستم‌ های محاسباتی نسل بعد طراحی شده است. کلاس ۱۰ نانومتر، نشان‌ دهنده‌ ی بخشی از فناوری پردازش بین ۱۰ تا ۱۹ نانومتر است. کمپانی سامسونگ نخستین بار حافظه‌ ی ۱۰ نانومتری DRAM خود را در فوریه ۲۰۱۶ عرضه کرد.

رئیس بخش بازرگانی حافظه

جیویانگ جیم رئیس بخش بازرگانی حافظه در کمپانی سامسونگ، می‌ گوید:

با توسعه‌ ی فناوری‌ های نوین در طراحی و پردازش DRAM، یکی از موانع اصلی مقیاس‌ پذیری آن برداشته شده است. همچنین به‌ منظور پاسخگویی به تقاضای زیاد بازار و ادامه‌ ی تقویت رقابت تجاری خود، ساخت حافظه‌ ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DRAM را از طریق راه‌ اندازی سریع خط تولید، به‌ سرعت افزایش می‌ دهیم.

بهره‌ وری حافظه‌ ی جدید ۱۰ نانومتری DDR4 کمپانی سامسونگ حدود سی درصد از نسل قبلی بیشتر است. به‌ علاوه سطح عملکرد و بهره‌ وری انرژی این سی پی یو نیز به‌ دلیل استفاده از فناوری‌ های پیشرفته و مدار اختصاصی طراحی‌ شده، به‌ ترتیب ۱۰ و ۱۵ درصد ارتقاء یافته است. همچنین حافظه‌ ی 8 گیگابیتی DDR4 جدید می‌ تواند با ۳۶۰۰ مگابیت بر ثانیه در هر پین عمل کند که در مقایسه با ۳۲۰۰ مگابیت بر ثانیه در  حافظه‌ ی نسل، قبل افزایش داشته است.

بیشتر بخوانید :  ویژگی های نهفته در هوم پاد را چگونه ارزیابی می کنید!

فرآیند EUV

برای دستیابی به این دستاورد ها؛ کمپانی سامسونگ به‌ جای استفاده از فرآیند EUV (اشعه‌ فرابنفش)، از فناوری‌ های جدید استفاده کرده است، که شامل استفاده از یک سیستم سنجش داده‌ های سلولی با حساسیت زیاد و طرح ایراسپیسر (Air spacer) پیشرفته است.

در سلول‌ های نسل دوم حافظه‌ ی ۱۰ نانومتری DRAM، سیستم جدید سنجش داده‌ ها قادر است میزان داده‌ ی ذخیره‌ شده در هر سلول را به‌ طور دقیق تعیین کند که این موضوع سبب ارتقا قابل توجه یکپارچگی مدار و بهره‌ وری تولید می‌ شود.

اسپیسر منحصر به‌ فرد

حافظه‌ ی ده نانومتری جدید همچنین از یک ایر اسپیسر منحصر به‌ فرد بهره می‌ برد که در اطراف خطوط بیت قرار گرفته است تا به‌ طور چشم‌ گیری باعث افت پارازیت ظرفیت خازنی شود. پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته است که بین قسمت‌ های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به‌ دلیل مجاورت آن‌ ها با یکدیگر به‌ وجود می‌ آید. زمانی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک هستند، تحت تأثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار می‌ گیرند و بار الکتریکی مخالف را مانند آن‌ هایی که توسط خازن ساخته شده‌ است ذخیره می‌ کنند. استفاده از ایر اسپیسر نه‌ تنها باعث مقیاس‌ گذاری در سطح بالا می‌‌ شود بلکه سرعت عمل سلول را نیز ارتقا می‌ دهد.

شتاب دادن برنامه‌ ها

با این پیشرفت‌ ها به‌ نظر می‌ رسد کمپانی سامسونگ در حال شتاب دادن برنامه‌ های خود برای معرفی هر‌ چه سریع‌ تر سیستم‌ ها و چیپ‌ های نسل بعد شامل DDR5، HBM3، LPDDR5 و GDDR6 است که می‌ توان از آن‌ ها در سرور های سازمانی، دستگاه‌ های تلفن همراه، ابررایانه‌ ها، سیستم‌ های HPC و کارت‌ های گرافیک سرعت بالا استفاده کرد.

بیشتر بخوانید :  اسمارت فون گلکسی 0 1

کمپانی سامسونگ قرارداد همکاری با کمپانی های تولید کننده‌ پردازشگر برای تولید ماژول ۱۰ نانومتری DDR4 نسل دوم خود را نهایی کرده است و در مرحله‌ ی بعد در نظر دارد با مشتریان بخش IT (فناوری اطلاعات) برای توسعه‌ ی سیستم‌ های محاسباتی کار آمدتر نسل بعد همکاری کند.

علاوه بر این، کمپانی سامسونگ به‌ عنوان رهبر ساخت DRAM، نه‌ تنها انتظار دارد به‌سرعت حجم تولید حافظه‌ ی ۱۰ نانومتری نسل دوم را در خطوط تولید افزایش دهد؛ بلکه در نظر دارد این میزان تولید بیش از حافظه‌ ی ۱۰ نانومتری نسل نخست باشد که این موضوع سبب رشد تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم‌ های الکترونیکی پیشرفته در جهان است.

 

دیدگاهتان را بنویسید